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[OT]Primi prototipi di memoria a cambiamento di fase
Intel e STMicroelectronics: primi prototipi di memoria a cambiamento di fase Intel Corporation e STMicroelectronics annunciano di aver iniziato la distribuzione dei primi prototipi di un dispositivo di memoria, nome in codice “Alverstone”, basato su una nuova tecnologia di memoria a cambiamento di fase, la cosiddetta PCM (Phase Change Memory) che offre velocità in lettura e scrittura estremamente elevate, con un consumo energetico ridotto rispetto alle tradizionali memorie flash.
Toshiba: Memorie allo stato solido da 128GB
Il colosso giapponese ha annunciato che dal prossimo anno produrrà
delle memorie allo stato solido con capacità da 32 a 128 GB per laptop.
La data di uscita di tali memorie è attualmente fissata per Maggio
2008, e avranno dimensioni fra i 1,8″ e 2,5″
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